GaN系MOS-HEMTにおけるMOS界面準位評価と電気特性への影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20a-D7-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3759

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

GaN系MOS-HEMTにおけるMOS界面準位評価と電気特性への影響

*堀祐臣, 谷田部然治, 橋詰保

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キーワード: 20a-D7-6, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 電子デバイス・プロセス技術, GaN, MOS, 界面

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