パルスレーザーメルティング法によりMnを過飽和ドープしたSiの電気伝導特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19a-D1-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_969

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

パルスレーザーメルティング法によりMnを過飽和ドープしたSiの電気伝導特性

*小柴悠資, 山田涼, 内藤宗幸, 青木珠緒, 杉村陽, 梅津郁朗

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キーワード: 19a-D1-2, 量子エレクトロニクス, レーザー・プロセッシング, Mn, PLM, Si

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