窒素添加結晶化法によるc面サファイア基板上へのZnO膜の作製：歪み緩和におけるバッファー層結晶粒密度の影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 12a-D1-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3830

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

窒素添加結晶化法によるc面サファイア基板上へのZnO膜の作製：歪み緩和におけるバッファー層結晶粒密度の影響

井手智章, 松島宏一, 清水僚太, 山下大輔, 徐鉉雄, 古閑一憲, 白谷正治, *板垣奈穂

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キーワード: 12a-D1-8, 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス, 薄膜成長, 酸化亜鉛, バッファー層, スパッタリング

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