急速加熱処理が低温成長Ge薄膜の構造に与える影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 16a-B10-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2756

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

急速加熱処理が低温成長Ge薄膜の構造に与える影響

*大塚慎太郎, 森貴洋, 森田行則, 内田紀行, 柳永勛, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 昌原明植, 松川貴

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キーワード: 16a-B10-8, 半導体, Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術, エピタキシャル成長／CVD／スパッタ, エピタキシャル成長, ゲルマニウム, スパッタリング

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