ドライおよびN<sub>2</sub>O酸化により形成したSiO<sub>2</sub>/4H-SiCの電子占有欠陥評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17a-301-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3567

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

ドライおよびN₂O酸化により形成したSiO₂/4H-SiCの電子占有欠陥評価

*渡辺浩成, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 森大輔, 寺尾豊, 宮崎誠一

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キーワード: 17a-301-7, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 絶縁膜／MOS構造, 4H-SiC, 絶縁膜, 光電子分光法

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