SiC(000-1)のウェット酸化における界面酸化剤濃度

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17a-301-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3568

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

SiC(000-1)のウェット酸化における界面酸化剤濃度

*芹澤直也, 蓮沼隆, 山部紀久夫

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キーワード: 17a-301-8, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 絶縁膜／MOS構造, ウェット酸化, Deal-Grove

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