ミストCVD法によるε-In<sub>2x</sub>Ga<sub>2-2x</sub>O<sub>3</sub>混晶薄膜の成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 8a-PA4-21

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3927

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

ミストCVD法によるε-In_2xGa_2-2xO₃混晶薄膜の成長

*宮内信宇, 田原大祐, 森本尚太, 西中浩之, 吉本昌広

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キーワード: 8a-PA4-21, 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, 薄膜成長, 酸化ガリウム, ミストCVD

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