ウェハ直接接合による自立基板上n-GaNエピ層/p-GaAs接合の光電流測定

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 25p-P11-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2499

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

ウェハ直接接合による自立基板上n-GaNエピ層/p-GaAs接合の光電流測定

*石見翔太, 廣瀬淳, 梁剣波, 重川直輝

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キーワード: 25p-P11-1, 半導体, 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価, 窒化物デバイス・回路, 表面活性化接合法

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