ハイドライド気相成長法による半極性{20-21} GaN基板の作製と歪と偏光特性の調査

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 22a-E202-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2628

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

ハイドライド気相成長法による半極性{20-21} GaN基板の作製と歪と偏光特性の調査

*谷川俊介, 美作龍星, 岡田成仁, Song Jie, Han Jung, 倉井聡, 山田陽一, 只友一行

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キーワード: 22a-E202-2, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（HVPE, OVPE）, 半極性, ハイドライド気相成長法, 歪

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