スパッタ再成長高濃度縮退n<sup>+</sup>-GaNオーミックコンタクトAlN/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N HEMTの特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 22p-E202-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2641

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

スパッタ再成長高濃度縮退n⁺-GaNオーミックコンタクトAlN/Al_xGa_1-xN HEMTの特性評価

*前田亮太, 西川祐人, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋

著者情報

キーワード: 22p-E202-8, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MBE, スパッタリング）, AlGaN, HEMT, スパッタリング

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