抄録
従来，太陽電池や半導体の基板に用いられるシリコンのスライス加工には，SiC砥粒などを研削液に懸濁させたスラリをワイヤに供給しながら加工する遊離砥粒方式が用いられてきた．しかしながら，近年，加工能率やカーフロス，環境負荷などの問題から，樹脂や電着によりワイヤ表面に砥粒が固着された固定砥粒方式に移行しつつある．この方式では，ワイヤ表面に砥粒が固着されているため，砥粒分散状態がウェハ表面の形状やウェハの厚さに大きな影響を与える．そこで，本報では，画像処理を用いてダイヤモンドワイヤ表面に固着されている砥粒を抽出し，ワイヤ表面の砥粒分散状態を計測・解析したので報告する．
