抄録
チタン（Ti）あるいはTi合金で作製されたインプラント材へのハイドロキシアパタイト（HAp）被膜形成は，インプラント材の生体親和性を高める技術の一つである．HAp被膜は，生体中でその性質を維持するためには高い結晶性を必要とする．この被膜の成膜法の一つとして，レーザーを用いたパルスレーザー堆積（PLD）法がある．PLD法によるHAp被膜形成では，被膜を結晶化するために成膜中，基板を高温（500～800℃）で加熱する．しかしながら，一般的なHAp被膜形成の場合，水雰囲気中で成膜するため基板上に酸化層が生成される．この酸化層は，HAp被膜とTi基板との間の密着強度を弱める．我々は，PLD法を改良したレーザーアシスト・レーザーアブレーション（LALA）法を開発した．本研究ではLALA法で作製したHAp被膜の密着性の原因について調べた．その結果，LALA法はTi基板に酸化層を形成しないことがわかった．さらに，基板表面を粗面化することがわかった．これらから，LALA法は，HAp被膜の密着強度を高める優れた方法として期待できる．
