特集記事：　はじめに：レーザー生成プラズマEUV光源の最近の動向

抄録

次世代半導体リソグラフィー露光量産用EUV光源の開発が進んでいる．反射率が65 %-70 %のMo/Si多層膜鏡と光学結合するため，波長は13.5 nmである．光源はSn多価イオンプラズマ中でのn = 4 - n = 4遷移間の放射によるものである．帯域幅2 %，立体角2πsrでのエネルギー変換効率は4.7 %である．119時間連続で平均出力132 Wの運転が可能になっている．