2019年日本表面真空学会学術講演会
セッションID: 1Ba10S
会議情報
主催: 日本表面真空学会
10月28日（月）
超小型イオンエンジン用Graphene/SiO2/Si積層平面型電子源の大電流化
詳細
主催: 日本表面真空学会
Graphene/SiO2/Si積層構造の平面型電子源は10-20Vの低電圧かつ1-100mA/cm2の高電流密度で駆動可能なMOS型電子放出素子である．著者らはこの電子源を用いた小型イオンエンジンの中和器開発に取り組んでおり，イオンビーム中和に必要な電子電流（1mA以上）を放出可能な電子源の作製が課題である．今回，小面積素子を数百個集積化し，電子電流1mA以上となる電子源の作製に成功した．
