イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究 (II)

抄録

我々はSiC表面分解法を用いたグラフェン形成に関する研究を行ってきた。SiC表面分解法ではSiC基板を高温で加熱しなければならず、高品質のグラフェンを得るためにはプロセスの低温化が必要になってくると思われる。あらかじめSiC基板にイオンビームを照射しておくことで、グラフェンの低温形成が可能ではないかと考え、様々な条件で実験を行った。