SiO₂/ホウ素添加CVDダイヤモンド界面の過渡光容量法を用いた 界面準位評価

抄録

光容量分光法を用いてSiO₂/ホウ素ドープダイヤモンド薄膜界面の界面準位評価を行った結果、1.2 eV以上の励起光照射にともない顕著な信号強度の増加が見られ、ホウ素ドープダイヤモンド結晶中のアクセプタ型欠陥に起因する信号と考えられた。一方、1.5 eV以上の励起光照射にともなう信号強度の増加はこれまで報告されておらず、SiO₂/ホウ素ドープダイヤモンド薄膜界面の界面準位に起因するものと考えられる。