α–テルチオフェン単分子接合の表面増強ラマン散乱による構造解析

抄録

単分子接合におけるπ共役系を介した電子輸送は，電気伝導度の減衰率の低さから注目されている．本研究では，高い伝導性を保持するためα–テルチオフェン分子を直接金属間に架橋し，電気伝導特性と表面増強ラマン散乱(SERS)を同時に計測した．単分子接合は幅広い電気伝導度を示し、伝導度に応じSERSスペクトルは変化した．振動エネルギーの変化より分子と金属の接合位置の違いが電気伝導度に影響することが分かった．