主催: 日本表面真空学会
東京理科大学理学部
東京理科大学総合研究院
東京理科大学理学部 東京理科大学総合研究院
東京理科大学
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本研究では、n型半導体カーボンナノチューブ(CNT)の候補である窒素ドープ半導体CNTに着目し、その熱電特性を熱電線形応答理論を用いて調査した。その結果、使用する温度毎にパワーファクター(PF)を最大化する最適な窒素ドープ量(copt)が存在することを明らかにした。また、CNTの直径の減少に伴いcoptは減少し、PFの最大値は指数関数的に増加することを定量的かつ定性的に提示することに成功した。
表面科学講演大会講演要旨集
表面科学学術講演会要旨集
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