低温薄膜トランジスタに向けた大気圧プラズマCVDによるSiOXゲート絶縁膜形成プロセスの研究

木元 雄一朗; 寺脇 功士; 鎌田 航平; 山崎 啓史; 大参 宏昌; 垣内 弘章; 安武 潔

doi:10.11522/pscjspe.2017A.0_447

2017年度精密工学会秋季大会

セッションID: G08

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2017A.0_447

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2017年度精密工学会秋季大会

開催地: 大阪大学

開催日: 2017/09/20 - 2017/09/22

低温薄膜トランジスタに向けた大気圧プラズマCVDによるSiO_Xゲート絶縁膜形成プロセスの研究

*木元雄一朗, 寺脇功士, 鎌田航平, 山崎啓史, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔

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キーワード: 機能薄膜, 薄膜形成, プラズマ, ゲート絶縁膜

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抄録

フレキシブルデバイスに用いる薄膜トランジスタではプラスチック基板上にゲート絶縁膜を形成する必要がある．我々は大気圧プラズマCVD法を用いた低温かつ高速なSiO_Xゲート絶縁膜の形成技術の開発を進めている．今回，成膜時の基板温度とプラズマ中O₂濃度が膜構造の特性に及ぼす影響を検討した．基板温度が120 °C，酸素流量が50 sccmの時，緻密性及び電気的特性の両方が最も優れたSiO_X薄膜が得られた．

責任著者(Corresponding author)

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