Graphene-Oxide-Semiconductor型平面電子源を搭載したSEMの開発

亀田 ゆきの; 村上 勝久; 長尾 昌善; 三村 秀典; 根尾 陽一郎

doi:10.14886/jvss.2021.0_3Da07S

2021年日本表面真空学会学術講演会

セッションID: 3Da07S

DOI https://doi.org/10.14886/jvss.2021.0_3Da07S

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主催: 日本表面真空学会

2021年11月5日

Graphene-Oxide-Semiconductor型平面電子源を搭載したSEMの開発

*亀田ゆきの, 村上勝久, 長尾昌善, 三村秀典, 根尾陽一郎

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抄録

MOS型平面電子源のゲート電極にグラフェンを用いたGraphene-Oxide-Semiconductor (GOS)型平面電子源は, 低電圧および低真空環境下で動作する. SEMにGOS電子源を用いることで,電子光学系や真空排気系を大幅に簡略化した低コストで小型, 高分解能なSEMの構成が期待できる. 本研究では, GOS電子源を用いたSEM像の観察および電子ビームの軌道評価を行った.

責任著者(Corresponding author)

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