電界誘起SFG分光法による駆動中OFETの電荷蓄積の観測

抄録

本研究では、ゲート誘電体層としてシリコン酸化膜およびHMDS単分子膜、半導体層としてDPh-BTBTを用いたOFETを駆動させ、チャネル形成過程を電界誘起SFG分光法によりプローブした。その結果、HMDSのメチル基由来の振動ピークとDPh-BTBTのフェニル基由来の振動ピークを確認しながら、電荷蓄積による内部電界の変化をプローブすることに成功した。それぞれの分子種と電荷蓄積の相関について議論する。