Si微粒子ペーストとAlを用いたSiC接合における再溶融温度を高温維持した接合温度低減

抄録

真空中加熱でSiC接合部にSi-Al混合液相を生成し、Alのみを蒸発・除去し、Si主体の接合界面層を形成する手法を検討した。1000°C程の低温保持でも残存Alの少ない緻密な接合界面層を有する接合体が得られ、室温せん断試験では母材破断した。発表では微細組織観察結果等の詳細を合わせ、層形成機構を考察する。