In添加活性Agろう材を用いたレーザ急速加熱法による単結晶ダイヤモンドとろう材の界面反応層評価

抄録

局所的かつ短時間での加熱が可能で母材の材質劣化抑制に優れるレーザを加熱源として用い，単結晶ダイヤモンド上でIn添加活性Agろう材を溶融させて試料を作製し，界面の透過電子顕微鏡観察と元素分析を行った。単結晶ダイヤモンド(100)面とろう材の界面には厚さ約50nmのTiCが連続して生成しており，固相線直上の温度であっても活性成分として添加したTiによる表面改質が可能であることが明らかとなった。