健全な陽極接合界面の形成に必要な導体側材料の酸化量

抄録

アルミニウムとガラスの陽極接合で密着した接合界面を得るにはガラス中で~100 C/m^2の電荷移動が必要であることが最近の研究で明らかになった。このことは、健全な接合のためには接合中に酸化される導体側材料の量がある閾値を越えなくてはならないことを示唆している。そこで、アルミニウムを仲立ちとしたガラス同士の重ね陽極接合をアルミニウム層の厚さを変えて行い、健全な継手が得られるアルミニウム層の厚さの限界を明らかにする。