対向拡散CVD法による高温プロピレン透過膜の開発

抄録

Propyltrimethoxysilane（PrTMOS），Phenyltrimethoxysilane（PhTMOS）， Hexyltrimethoxysilane（HTMOS）を3種のシリカ源とし，対向拡散CVD法にて分子ふるいシリカ複合膜を作製した．HTMOS/O₂系にて450 ˚C ，5 minで蒸着した膜は，270 ˚C 透過試験にて，C₃H₆/C₃H₈透過率比は414， C₃H₆透過率1.0×10^－8 mol m^－2 s^－1 Pa^－1と非常に高い高温プロピレン選択透過性を示した．高温蒸着のため，高温安定性のあるHTMOSをシリカ源として選択した．蒸着時間の検討では，蒸着時間を90 minから5 minと短くすることでN₂/SF₆透過率比が12から64と向上した．さらに，蒸着温度の検討では，N₂/SF₆透過率比が最大の2.2×10⁵を示した450˚Cが最適であることが示された．