シリコンエピタキシャル成長におけるドーパントガスの輸送現象解析
1997 年 23 巻 6 号 p. 772-779
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1997 年 23 巻 6 号 p. 772-779
基板回転を有する水平型枚葉式エピタキシャルリアクターにおいてエピタキシャル成長が進行している環境における, B2H6ガスの輸送を数値計算を用いて検討した.H2キャリアガス, シリコンエピタキシャル成長時の成長原料であるSiHCl3ガスと副生成物であるHClガスの濃度分布および流速, 温度分布を用い, B2H6ガスの輸送の式を解いた.その結果, コールドウオールリアクターでは基板周辺のB2H6ガスの熱拡散の影響を無視できず, リアクター入口に均一濃度のB2H6ガスを供給しても基板上の濃度分布は均一化されないことが示された.また, 基板上のB2H6ガスの濃度分布は, 枚葉式水平型リアクターで通常使用される程度の基板回転では大きな変化がないことがわかった.拡散と熱拡散の流束について定量的比較を試みた結果, B2H6ガスの濃度分布においてはSiHCl3ガスにおいて認められるよりも熱拡散の影響が大きいと考えられる.
