走査イオン顕微鏡（SIM）（照射イオン種：GaおよびHe）が持つ二次電子（SE）像情報について，走査電子顕微鏡（SEM）と比較しながら解説した．SE像情報の解析にはモンテカルロシミュレーション法を用い，SEを衝突励起する被衝突粒子，すなわち入射イオン，反挑試料原子，および励起SE電子（電子衝突カスケード）の全軌道を追跡した．Ga-SIMでは，SE収率はZ2の増加と共に緩やかなおおむね減少傾向（ただし，周期律に依存した変化が重畳）を示し，SEMと逆傾向にある．He-SIMにおけるSE収率のZ2依存性は，Gaイオン照射と電子照射の中間の特性となり，Z2依存性は弱い．SIM像の材料コントラスト，情報深さ，像分解能，表面形状コントラストに関係するSE収率の入射角依存性，および電圧コントラストに関係するSEの放出エネルギー分布の特性について，SEM像と対比した．
