新規な含ホウ素有機半導体材料の合成と物性

抄録

近年、有機半導体材料を用いた有機FET、有機ELが注目を集めている。また、ホウ素を含む有機半導体材料も報告はされているが、まだ数は多くない。平面３配位したホウ素はその垂直方向に空のp軌道を有する。われわれはこの空のp軌道を用いて分子間相互作用を強め、新規な高性能有機FETを構築することを試みた。 一方、ボロン酸は鈴木－宮浦カップリング反応に用いる有名な反応試薬である。今回、このボロン酸を出発原料に用いた新規な含ボロン化合物の合成法を開発した。また、これらの化合物の基礎物性、X線単結晶構造解析、FET特性などを測定し、その他の有機半導体デバイスへの応用の可能性を示した。