スルフィド結合を有する高分子の合成と主鎖切断型ポジ型レジストヘの応用
1980 年 37 巻 4 号 p. 269-274
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1980 年 37 巻 4 号 p. 269-274
チイランをCdSiとともに水中懸濁して重合を行い主鎖にスルフィド結合を有するポリチイランを得た. 得られたポリマーは紫外線, γ線, 電子線によって主鎖切断を起こすのでポジ型レジストへの応用が可能である. 紫外線による主鎖切断の量子収率はおおよそ0.1, 空気中でのγ線による切断のG値はおおよそ8である. 合成したポリマーの中でポリ (みエチル-2-メチルチイラン) が最も膜特性がよく電子線に対してポリメタクリル酸メチルよりも高感度であった.
