抄録
1GビットDRAM製造に要求される0.2μm以下のパターンを形成するArFエキシマレーザ (λ=193nm) 露光用化学増幅型レジストを設計した. 感光剤である光酸発生剤として, 2-オキソシクロヘキシル基を持つアルキルスルホニウム塩を合成した. 従来の感光剤に比べ193nmにおける吸光係数が1/30以下と高透明性で, かつ良好な酸発生効率を示す. このとき光吸収により2-オキソシクロヘキシル基が選択的に解離し, さらにβ位水素が脱離することで酸が生成する. この反応機構は, 分子軌道法を用いた理論計算により支持された. またポリマーとしては, 十分な透明性とドライエッチング耐性を兼ね備えた, トリシクロデカニル基を導入したメタクリル系三元共重合体を設計した. このポリマーはアルカリ現像液への良好な溶解性を示す. これら光酸発生剤とポリマーからなるポジ型化学増幅レジストは, ArF縮小露光機によって0.2μm L & Sパターンを解像した.
