Tight-Binding 量子分子動力学法に基づくエッチングプロセスシミュレータの開発と半導体プロセス設計への応用

抄録

概要 半導体デバイスやMEMS に用いられる材料の微細加工技術として，プラズマエッチングが多用されている．しかし，使用材料の多様化や，デバイス及び加工スケールの微小化に伴い，形状異常などの問題が発生している．プラズマエッチングは，反応種の被加工材料(基板)表面への衝突と化学反応が絡み合ったマルチフィジックスプロセスであることから，問題解決には原子・電子レベルでの化学反応ダイナミクスの解明が求められる．本研究では，エッチングメカニズムの解明並びに最適プロセス設計を目的に，Tight-Binding 量子分子動力学法に基づくエッチングシミュレータを開発し，反応種等に応じたエッチング過程の解明を試みた．