N,N- ジフェニルアクリルアミド基を含む 1,2- ポリブタジエン共重合体

抄録

生成AI の進化は，より多層化した画像処理装置（GPU）を要求するため，銅張積層板（CCL）に大きな電場が発生し，高温に達する。そのためCCL 樹脂層に低誘電で且つ，高いガラス転移点（Tg），低い熱膨張率（CTE）が求められる。しかしながら，それらの特性の追求はトレードオフの関係であり，有用な材料の創出が求められてきた。これまでリビングアニオン重合から導かれる1,2-ビニルユニットは低誘電に優れることが報告されている。本論文ではこの重合方法を用い，耐熱性を付与した変性1,2-ポリブタジエン（PB）共重合体（ブロック共重合体）を合成し，高い耐熱性と低誘電性を両立した材料を解析し，その効果を示す。