トリス(2,2'-ビピリジン)ルテニウム(II)錯体固定化 高分子膜で修飾した光電極

抄録

トリス(2,2'-ビピリジン)ルテニウム(II)錯体の固定化高分子膜の合成と蓄の膜の光照射にともなう消光,メイルビオロゲンのような電子受容体への光電子移動反応についてはすでに報告したが,本報ではこれらの知見に基づいて,n型透明半導体電極をこのルテニウム(II)錯体固定化高分子膜で修飾し,白金電極,電子供与体(ETA)水溶液共存下に光電池を構成した結果,半導体電極へ電子注入反応が起こって光電流が発生し,しがもその光電流は光照射下でかなり長時間安定に持続することがわかった。また,光電流のピークは用いたルテニウム錯体の吸収スペクトル,励起スペクトルのピーク領域に認められた。