ビスマス系酸化物超伝導体作成の前駆体となるジビバロイルメタン(Hdpm),アセチルアセトン(Hacac)およびアセト酢酸エチル(Hetac)を配位子とするビスマス(III),ストロンチウム(II),カルシウム(II)の高純度錯体の合成を検討した.ビスマス錯体は,トリエチルアミン存在下における塩化ビスマス(III)と配位子Hdpmの反応あるいはビスマストリエトキシドと配位子Hacac,Hetacの反応により合成した.一方,ストロンチウムおよびカルシウム錯体は金属と配位子の反応により合成した.錯体のスペクトルや溶解性の測定結果から,その性質を調べた.
この記事は最新の被引用情報を取得できません。
