研究紹介
中性粒子ビームによるダメージフリー高精度プロセス
2003 年 72 巻 12 号 p. 1536-1540
詳細
2003 年 72 巻 12 号 p. 1536-1540
ダメージフリー高精度プロセスを目指して，高効率中性粒子ビーム生成装置を開発した．誘導結合プラズマ（ICP）に直流バイアス印加用の平行平板型カーボン電極を組み合わせ，下部カーボン電極にはイオン中性化用のアパーチャーが形成されている．この電極間に電位こう配を与えることで正・負イオンを加速し，アパーチャーを通過させることで中性粒子ビームが生成される．特に負イオンを用いることにより，中性化率100％を実現し，低エネルギー高密度中性粒子ビーム生成に成功した．本装置を用いることで50nm程度のゲート電極加工や原子層レベルの超精密シリコン酸窒化膜の形成が実現できた．
