総合報告
ULSI開発に不可欠なナノレベル分析・評価技術
2003 年 72 巻 5 号 p. 539-540
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2003 年 72 巻 5 号 p. 539-540
次世代のULSI開発においてはますます微細化が進み，デバイスを構成する薄膜の膜厚，組成，微細構造などのナノレベルの制御が不可欠となる．これに伴い，薄膜のナノレベルでの分析・評価技術の開発も急務となっている．本報告では，このようなデバイス開発における，現在から将来に向けた分析・評価のニーズを展望し，開発すべき先端分析・評価技術について述べる．特に，これらのうち主要なもの，すなわち，(1) TEMによるnmレベルでの構造・組成・ひずみ解析，(2) 原子種まで特定可能な高角度暗視野STEM法，(3) 微量不純物の深さ方向分布を1nm以下の深さ分解能で評価できる低加速SIMS法，(4) 電気的・磁気的特性をnmレベルの分解能で可視化できるSPMおよび電子線ホログラフィーの動向について概説する．
