解説
バルクシリコン結晶における分析・評価技術
2003 年 72 巻 5 号 p. 550-556
詳細
2003 年 72 巻 5 号 p. 550-556
半導体大規模集積回路の基板には主に引き上げ法で成長されたバルクシリコン結晶が用いられる．集積回路の微細化・高集積化とともに，回路の歩留まりや性能を制限する結晶欠陥やその原因となる点欠陥が低減されてきた．これには，欠陥や点欠陥などを分析・評価する技術の進歩が役立っている．最近の進歩と今後の課題を，重要性の高い，欠陥と点欠陥の評価技術，窒素不純物濃度の測定技術を例として解説する．また，これらの技術の国際標準化の動向を，関連する技術とともに紹介する．
