応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
研究紹介
STMで調べたEL2センターの双安定挙動
飛田 聡目良 裕前田 康二
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2003 年 72 巻 6 号 p. 736-740

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抄録

STM(Scanning Tunneling Microscopy)を用いて,低温成長したGaAs結晶中に存在するAsアンチサイトと考えられる欠陥がEL2センターと同じ双安定挙動を示すことを明らかにした.実験結果に基づき,EL2センターの原子構造およびフォトクウェンチ効果のメカニズムを議論した.

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© 2003 公益社団法人応用物理学会
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