東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
2003 年 72 巻 6 号 p. 736-740
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STM(Scanning Tunneling Microscopy)を用いて,低温成長したGaAs結晶中に存在するAsアンチサイトと考えられる欠陥がEL2センターと同じ双安定挙動を示すことを明らかにした.実験結果に基づき,EL2センターの原子構造およびフォトクウェンチ効果のメカニズムを議論した.
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