最近の展望
リソグラフィーの最近の話題
2004 年 73 巻 2 号 p. 199
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2004 年 73 巻 2 号 p. 199
リソグラフィー技術は半導体ロードマップのけん引車として幾多の壁を乗り越えてきたが，さらなる微細化に向けて精力的に開発がなされている．リソグラフィーの主役はKrF(248nm)，ArF(193nm)エキシマレーザーを光源とした光リソグラフィーが今なお主役であり，マスクやレジスト技術の革新により65nmノードの量産が視野に入ってきた段階である．しかし，一方で早期実現が期待された次世代リソグラフィーの登場は遅れているのが現状で45nmノード以細の主役は確定できていない．登場が遅れている次世代リソグラフィー技術であるが，その候補は年々増えてきており百花りょう乱の状況にある．そのトレンドは，F2レーザー(157nm)からEUV(13.5nm)への，いわゆる光の短波長化路線と，一方で電子線を活用した電子ビームリソグラフィーに大別される．特に最近，ここにきて液浸リソグラフィー技術が大きな話題となり，ArFやF2リソグラフィー技術を延長する開発が活発化されてきている．さらに，インプリントリソグラフィーも当初ナノテクノロジー分野での応用が主たるものであったが，最近半導体活用へ話題となってきている．本報では，光リソグラフィー技術の現状と次世代リソグラフィー技術の動向を世界の状況を加味しながら解説し，今後の半導体の微細化方向について言及した．
