研究紹介
高い相互コンダクタンスを有するリセスゲート窒化物半導体FET
2004 年 73 巻 3 号 p. 358-362
詳細
2004 年 73 巻 3 号 p. 358-362
GaN(窒化ガリウム)素材は広いバンドギャップ(3.4eV)に起因する高い破壊電圧と高い飽和電子速度という優れた物性定数をもち，さらに，AlGaN/GaNのヘテロ構造による高電子移動度の二次元電子が生成できるため，HEMTとして高出力高周波動作が期待されている．高性能AlGaN/GaN-HEMTを実現するにおいて，高電子濃度の二次元電子と，寄生抵抗が小さいことを両立させることが重要である．これを実現する技術としてリセスゲート構造を提案してきた．熱伝導のよいSiC基板上に，このリセスゲート構造をもったHEMTを試作し，高gm特性とともに，良好な高周波特性を得たことを述べる．
