研究紹介
ダイヤモンドMESFETの高周波特性
嘉数 誠, Michal Kubovic, Aleksandar Aleksov, Ingmar Kallfass, Hermann Schumacher, Erhard Kohn, 小林 直樹
著者情報
2004 年 73 巻 3 号 p. 363-367
詳細
2004 年 73 巻 3 号 p. 363-367
高品質ダイヤモンドホモエピタキシャル薄膜を用いて，ダイヤモンド短ゲートMESFETを作製した．ダイヤモンドでは最高の高周波特性(遷移周波数 fT＝25GHz，最大有能電力利得(MAG)，最大単方向電力利得(U)に対する最高発振周波数はおのおの fmax (MAG)＝63GHz，fmax (U)＝81GHz)を示し，初めてミリ波帯での増幅を実現した．1GHz，A級動作の電力測定では広い範囲で14dBの線形電力利得を示し，最大出力電力は0.35W/mmになった．高周波雑音特性を初めて測定し，最小雑音指数(Fmin)は3GHzで1dB程度となり，低雑音性を示すことがわかった．
