応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
ユニバーサルメモリーMRAM
安藤 康夫
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2004 年 73 巻 3 号 p. 390-393

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抄録

磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)は次世代の不揮発性メモリーとして期待されているが,市場になかなか出てこない.本稿では,MRAMの動作原理とその優位性を解説する.また,MRAM実現の課題「なぜすぐにできないのか」について述べる.さらに,超低消費電力で高速・ギガビットのMRAM開発に向けての取り組みと将来技術について言及する.

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© 2004 公益社団法人応用物理学会
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