東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
2004 年 73 巻 3 号 p. 390-393
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磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)は次世代の不揮発性メモリーとして期待されているが,市場になかなか出てこない.本稿では,MRAMの動作原理とその優位性を解説する.また,MRAM実現の課題「なぜすぐにできないのか」について述べる.さらに,超低消費電力で高速・ギガビットのMRAM開発に向けての取り組みと将来技術について言及する.
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