解説
高均一量子ドットの自己形成
2005 年 74 巻 3 号 p. 307-312
詳細
2005 年 74 巻 3 号 p. 307-312
ストランスキー・クラスタノフ成長モードを利用したInAs系量子ドットの自己形成において，ファセット面の形成によるドットサイズの自己制限効果が見いだされ，均一性の高い量子ドット構造の作製が可能であることを明らかにした．高均一で良質の量子ドットの埋め込み成長条件について述べ，20meV以下の狭い発光半値幅が得られることを示した．さらに，量子ドットの高均一・高密度化の新しい手法として，GaSb/GaAs層の導入について概説した．
