総合報告
Si系高移動度MOSトランジスタ技術
2005 年 74 巻 9 号 p. 1158-1170
詳細
2005 年 74 巻 9 号 p. 1158-1170
微細化に伴う種々の物理限界要因により，従来のスケーリングのみでは難しくなっているSi MOSFETの性能向上を実現する技術として，近年注目が集まっている，高移動度・高速度チャネルを用いたCMOSデバイス技術について紹介する．微細チャネル下での駆動力向上手法について，反転層中の電子状態，特にサブバンド構造の最適設計の観点から，その物性的背景を総括するとともに，ひずみSi，Ge，超薄膜チャネルなどに関する最近の実験結果を述べることにより，今後のMOSデバイス技術を牽引していくと考えられる，高移動度チャネルMOSトランジスタ技術を展望する．
