ファセット制御技術による高品質窒化物半導体の作製

抄録

窒化物半導体の転位密度の低減に，成長時におけるファセット制御が非常に重要である．GaNの有機金属気相成長(MOVPE)では，選択成長の結晶形態は成長温度，成長圧力などにより制御できる．ファセット構造を制御しながら選択横方向成長(ELO)を行うFACELOにより，10⁶ cm^-2台まで転位密度の低減が可能となった．また，高いAlNモル分率で低転位密度AlGaN膜を作製するため，凹凸のあるエピタキシャルAlN基板を下地として用いてMOVPE法により成長を行った．この方法により，10⁷cm^-2台までAlGaNの転位密度の低減を可能にした．