研究紹介
窒化物系半導体薄膜での転位密度減少の観察
2006 年 75 巻 9 号 p. 1136-1139
詳細
2006 年 75 巻 9 号 p. 1136-1139
窒化物系電子デバイスの性能や信頼性の向上を目的とし，窒化物系半導体薄膜中に存在する高密度の格子欠陥を低下させることを試みている．筆者らは，(0001)面に対して2度程度傾いたサファイア基板上で薄膜成長を行い，転位密度が大幅に減少することを見いだした．電子顕微鏡による観察結果とメカニズムについての議論を報告する．
