研究紹介
無極性窒化物半導体の結晶成長ならびにデバイス応用
2007 年 76 巻 5 号 p. 513-516
詳細
2007 年 76 巻 5 号 p. 513-516
窒化物半導体デバイスのさらなる高性能化ならびに新領域開拓のために，無極性面（(11-20) a 面，(10-10) m 面など）および半極性面（(11-22)，(10-11)，(30-38)など）に関して研究が行われている．本稿では，無極性ならびに半極性窒化物半導体の有用性について述べ，無極性窒化物半導体の結晶成長の問題点，高品質結晶を得るための筆者らの取り組み，伝導性制御ならびにデバイス応用に向けた筆者らのグループの取り組み，ならびに従来のc面成長の場合との比較について報告する．
