深紫外光は波長が非常に短いために，ナノテクノロジー，環境，衛生，医療，バイオなどの幅広い分野での利用が期待されている．窒化アルミニウム（AlN）は大きなバンドギャップ・エネルギー（6eV）をもち，発光デバイスに有利な直接遷移型半導体である．このAlNを用いて，半導体では最も短い波長（210nm）で発光する深紫外発光ダイオード（LED）の作製に成功した．一方，窒化ホウ素（BN）も大きなバンドギャップ・エネルギーをもっているが，室温での発光特性が良好なBNエピタキシャル薄膜結晶の成長は困難であった．筆者らは，流量変調エピタキシーとNi基板を用いて，高品質のグラファイト型BNエピタキシャル薄膜の成長に成功した．
