研究紹介
半導体鉄シリサイドの結晶成長と基礎物性
2007 年 76 巻 7 号 p. 790-793
詳細
2007 年 76 巻 7 号 p. 790-793
金属，半導体，磁性体と多彩な性質を示す鉄シリコン化合物の中で，半導体鉄シリサイド（β-FeSi2）は，Si基板上へのエピタキシャル成長が可能なことから，Siベースのオプトエレクトロニクス材料として期待されている．しかし，高品質なバルク単結晶の成長が難しいため，その諸物性については十分な研究が行われていない．本稿では，溶液成長法による β-FeSi2 バルク単結晶の成長技術と，得られた単結晶の電気的特性，光学的特性，構造特性について紹介する．
