解説
45nm世代向けローカルひずみ技術と32nm世代への展望
2007 年 76 巻 9 号 p. 1013-1019
詳細
2007 年 76 巻 9 号 p. 1013-1019
微細化によらない性能改善する手段として昨今注目を浴びているのが，トランジスタのチャネルに応力を印加し，ひずみを発生させることで移動度を向上させる「ひずみ技術」である．特にnMOSFETとpMOSFETそれぞれ個別最適化したひずみを与える「局所（ローカル）ひずみ印加技術」に，その微細トランジスタでの印加効率の高さゆえ注目が集まり，実用化へ向けての開発が加速し，一部実用化された．本稿では，提唱されている各種ローカルひずみ印加技術とその課題を概観した後，次の世代の新材料を視野に入れたひずみ技術とひずみ技術の信頼性について述べる．
